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SQM40010EL_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

nicht konform

SQM40010EL_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.65805 $1326.44
1,600 $1.52163 -
2,400 $1.41669 -
5,600 $1.36422 -
1 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17100 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PSMN019-100YLX
SISS60DN-T1-GE3
SIA432DJ-T1-GE3
NTD4858NT4G
NTD4858NT4G
$0 $/Stück
SQJ403BEEP-T1_BE3
FQI9N50TU
STP10N60M2
STP10N60M2
$0 $/Stück

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