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SQP120N10-09_GE3

SQP120N10-09_GE3

SQP120N10-09_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

compliant

SQP120N10-09_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.27000 $3.27
10 $2.95700 $29.57
100 $2.37600 $237.6
500 $1.84800 $924
1,000 $1.53120 -
2,500 $1.42560 -
5,000 $1.37280 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8645 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQS140ENW-T1_GE3
SQA410EJ-T1_GE3
PMZB950UPEYL
RM1505S
RM1505S
$0 $/Stück
DMT10H025LK3-13
FDMC86102
FDMC86102
$0 $/Stück
DMN2024U-13
IXTT16P60P
IXTT16P60P
$0 $/Stück

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