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AONR66406

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MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN

AONR66406 Technisches Datenblatt

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AONR66406 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.16965 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1480 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FCPF290N80
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SISA18BDN-T1-GE3
NDD01N60-1G
NDD01N60-1G
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TP65H015G5WS
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STD9N40M2
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SI2102-TP
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PMN25ENEAX
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