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AOTF3N80

AOTF3N80

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MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F

AOTF3N80 Technisches Datenblatt

compliant

AOTF3N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.72240 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

EPC2012C
EPC2012C
$0 $/Stück
SSP2N60A
IRFR9014TRPBF
IXTA08N100D2HV-TRL
IXTA08N100D2HV-TRL
$0 $/Stück
SIHG24N80AEF-GE3
SIHG180N60E-GE3
IRFD9120
IRFD9120
$0 $/Stück

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