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IPD220N06L3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

compliant

IPD220N06L3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 11µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-311
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SSP2N60A
IRFR9014TRPBF
IXTA08N100D2HV-TRL
IXTA08N100D2HV-TRL
$0 $/Stück
SIHG24N80AEF-GE3
SIHG180N60E-GE3
IRFD9120
IRFD9120
$0 $/Stück
SIRA88DP-T1-GE3

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