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2N6792TX

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2A, 400V, 1.8OHM, N-CHANNEL

2N6792TX Technisches Datenblatt

nicht konform

2N6792TX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.82000 $7.82
500 $7.7418 $3870.9
1000 $7.6636 $7663.6
1500 $7.5854 $11378.1
2000 $7.5072 $15014.4
2500 $7.429 $18572.5
335 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer TO-205AF Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

SIHP33N60E-GE3
FQP13N06
SCTH40N120G2V7AG
NTP65N02R
NTP65N02R
$0 $/Stück
SIHG22N60E-GE3
RF4E070GNTR
STO47N60M6
STO47N60M6
$0 $/Stück
FDMS8050
FDMS8050
$0 $/Stück
TP2522N8-G
IXFH50N60P3
IXFH50N60P3
$0 $/Stück

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