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FDB8870-F085

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MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK

nicht konform

FDB8870-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
5600 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RQ5P010SNTL
RM21N700T2
RM21N700T2
$0 $/Stück
FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085
$0 $/Stück
SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3
AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3

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