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FDB070AN06A0-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 15A TO263AB

SOT-23

nicht konform

FDB070AN06A0-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.56750 $1254
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 175W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3
AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3
TP2104K1-G
NTA4153NT1G
NTA4153NT1G
$0 $/Stück
R6008FNX
R6008FNX
$0 $/Stück
RS3E075ATTB1

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