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IPP60R120C7XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3

SOT-23

nicht konform

IPP60R120C7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $2.83596 $1417.98
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 390µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 92W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RQ5P010SNTL
RM21N700T2
RM21N700T2
$0 $/Stück
FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085
$0 $/Stück
SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3
AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3
TP2104K1-G

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