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FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET

compliant

FDFME2P823ZT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
40000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 405 pF @ 10 V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / Koffer 6-UFDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

DMN3110SQ-7
SI7852DP-T1-GE3
FQPF5N90
FQPF5N90
$0 $/Stück
DI035N10PT-AQ
STW62N65M5
STW62N65M5
$0 $/Stück
STW70N60DM2
STW28N60DM2
DMN3033LSNQ-13
PSMN6R3-120PS
SIDR578EP-T1-RE3

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