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HUF75939P3

HUF75939P3

HUF75939P3

MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3

HUF75939P3 Technisches Datenblatt

compliant

HUF75939P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.94000 $0.94
500 $0.9306 $465.3
1000 $0.9212 $921.2
1500 $0.9118 $1367.7
2000 $0.9024 $1804.8
2500 $0.893 $2232.5
35157 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FQB7N30TM
SIR5710DP-T1-RE3
CSD17585F5
CSD17585F5
$0 $/Stück
2SJ646-TL-E
2SJ646-TL-E
$0 $/Stück
IXTN400N15X4
IXTN400N15X4
$0 $/Stück
SIR422DP-T1-GE3
IRFP150PBF
IRFP150PBF
$0 $/Stück
IRF7821TRPBF

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