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SIR5710DP-T1-RE3

SIR5710DP-T1-RE3

SIR5710DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

compliant

SIR5710DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.50000 $1.5
500 $1.485 $742.5
1000 $1.47 $1470
1500 $1.455 $2182.5
2000 $1.44 $2880
2500 $1.425 $3562.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.8A (Ta), 26.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 31.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 770 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

CSD17585F5
CSD17585F5
$0 $/Stück
2SJ646-TL-E
2SJ646-TL-E
$0 $/Stück
IXTN400N15X4
IXTN400N15X4
$0 $/Stück
SIR422DP-T1-GE3
IRFP150PBF
IRFP150PBF
$0 $/Stück
IRF7821TRPBF
NVMFS6H836NT3G
NVMFS6H836NT3G
$0 $/Stück

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