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IRF353

IRF353

IRF353

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF353 Technisches Datenblatt

compliant

IRF353 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.96000 $3.96
500 $3.9204 $1960.2
1000 $3.8808 $3880.8
1500 $3.8412 $5761.8
2000 $3.8016 $7603.2
2500 $3.762 $9405
460 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
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Zugehörige Teilenummer

FCPF7N60NT
FCPF7N60NT
$0 $/Stück
SI2318DS-T1-GE3
HUF76121P3
SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/Stück
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/Stück
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/Stück
IPD03N03LA G

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