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SSS1N60B

SSS1N60B

SSS1N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSS1N60B Technisches Datenblatt

compliant

SSS1N60B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
3684 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 215 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 17W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMN3404LQ-7
SIR4608DP-T1-GE3
MTAJ3055EL
MTAJ3055EL
$0 $/Stück
SQM40022E_GE3
NTMFS5C450NLT1G
NTMFS5C450NLT1G
$0 $/Stück
BUK9217-75B,118
NTMFS4H02NT3G
NTMFS4H02NT3G
$0 $/Stück

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