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NTMFS4H02NT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

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5,000 $1.97120 -
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 37A (Ta), 193A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2651 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

SIHP22N60EF-GE3
SIHJ10N60E-T1-GE3
FDS7760A
FCD600N60Z
FCD600N60Z
$0 $/Stück
PSMN4R4-30MLC,115
SIHG105N60EF-GE3
NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/Stück
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/Stück

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