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SIHP22N60EF-GE3

SIHP22N60EF-GE3

SIHP22N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

nicht konform

SIHP22N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.66000 $3.66
500 $3.6234 $1811.7
1000 $3.5868 $3586.8
1500 $3.5502 $5325.3
2000 $3.5136 $7027.2
2500 $3.477 $8692.5
17 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1423 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIHJ10N60E-T1-GE3
FDS7760A
FCD600N60Z
FCD600N60Z
$0 $/Stück
PSMN4R4-30MLC,115
SIHG105N60EF-GE3
NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/Stück
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/Stück
IXTA96P085T-TRL
IXTA96P085T-TRL
$0 $/Stück

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