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PJD25N03_L2_00001

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PJD25N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD25N03_L2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
5859 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 392 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

MTAJ3055EL
MTAJ3055EL
$0 $/Stück
SQM40022E_GE3
NTMFS5C450NLT1G
NTMFS5C450NLT1G
$0 $/Stück
BUK9217-75B,118
NTMFS4H02NT3G
NTMFS4H02NT3G
$0 $/Stück
SIHP22N60EF-GE3
SIHJ10N60E-T1-GE3
FDS7760A

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