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SIR4608DP-T1-GE3

SIR4608DP-T1-GE3

SIR4608DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SIR4608DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.21000 $1.21
500 $1.1979 $598.95
1000 $1.1858 $1185.8
1500 $1.1737 $1760.55
2000 $1.1616 $2323.2
2500 $1.1495 $2873.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.1A (Ta), 42.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

MTAJ3055EL
MTAJ3055EL
$0 $/Stück
SQM40022E_GE3
NTMFS5C450NLT1G
NTMFS5C450NLT1G
$0 $/Stück
BUK9217-75B,118
NTMFS4H02NT3G
NTMFS4H02NT3G
$0 $/Stück
SIHP22N60EF-GE3
SIHJ10N60E-T1-GE3

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