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DMG1012UW-7

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MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

DMG1012UW-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMG1012UW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06828 -
6,000 $0.06002 -
15,000 $0.05177 -
30,000 $0.04902 -
75,000 $0.04627 -
150,000 $0.04077 -
673323 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.74 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60.67 pF @ 16 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

IXFX80N50P
IXFX80N50P
$0 $/Stück
IXTP16N50P
IXTP16N50P
$0 $/Stück
SI7114DN-T1-E3
FCD850N80Z
FCD850N80Z
$0 $/Stück
SI4850EY-T1-E3
STI20N65M5
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$0 $/Stück
IXFT50N60P3
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$0 $/Stück
FQP2P40-F080
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$0 $/Stück
DMN6040SK3-13

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