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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

nicht konform

DMG6602SVT-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.10560 -
6,000 $0.09592 -
15,000 $0.08624 -
30,000 $0.08140 -
75,000 $0.07317 -
150,000 $0.07075 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.4A, 2.8A
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400pF @ 15V
Leistung - max. 840mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket TSOT-26
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Zugehörige Teilenummer

PMZ950UPE,315
DMN3015LSD-13
SH8KA4TB
SH8KA4TB
$0 $/Stück
SIZ270DT-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3
ZXMN3A06DN8TA
QH8JB5TCR
QH8JB5TCR
$0 $/Stück
SI5948DU-T1-GE3
BUK9K17-60EX

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