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DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

nicht konform

DMN3190LDW-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 87pF @ 20V
Leistung - max. 320mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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