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DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

nicht konform

DMTH10H1M7STLW-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.00762 $3.00762
500 $2.9775438 $1488.7719
1000 $2.9474676 $2947.4676
1500 $2.9173914 $4376.0871
2000 $2.8873152 $5774.6304
2500 $2.857239 $7143.0975
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9871 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket POWERDI1012-8
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

IRLB3034PBF
SIHA17N80AE-GE3
IRLL2705TRPBF
RM4N700LD
RM4N700LD
$0 $/Stück
IRFH8324TRPBF
STB2N62K3
STB2N62K3
$0 $/Stück
SI4835DDY-T1-E3
PHB33NQ20T,118

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