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G3R450MT17D

G3R450MT17D

G3R450MT17D

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

G3R450MT17D Technisches Datenblatt

compliant

G3R450MT17D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.64000 $7.64
500 $7.5636 $3781.8
1000 $7.4872 $7487.2
1500 $7.4108 $11116.2
2000 $7.3344 $14668.8
2500 $7.258 $18145
1301 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 585mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 15 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 454 pF @ 1000 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN1032UCB4-7
DMN2058UW-7
SIR826BDP-T1-RE3
SQA470EJ-T1_GE3
DMNH4005SCT
STB33N60DM2
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/Stück
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/Stück
SQM120N03-1M5L_GE3

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