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SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK

compliant

SIR826BDP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3030 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SQA470EJ-T1_GE3
DMNH4005SCT
STB33N60DM2
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/Stück
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/Stück
SQM120N03-1M5L_GE3
DMT6005LSS-13
HUF75623P3

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