Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R260M1HXTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.40000 $7.4
500 $7.326 $3663
1000 $7.252 $7252
1500 $7.178 $10767
2000 $7.104 $14208
2500 $7.03 $17575
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMTH6012LPSW-13
NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG
$0 $/Stück
STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/Stück
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/Stück
FDC697P
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/Stück
DMN6013LFGQ-13
SIRA00DP-T1-RE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.