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IPA80R1K2P7XKSA1

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IPA80R1K2P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220

SOT-23

nicht konform

IPA80R1K2P7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.54000 $1.54
10 $1.36400 $13.64
100 $1.07830 $107.83
500 $0.83620 $418.1
1,000 $0.66017 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 500 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFP254PBF
IRFP254PBF
$0 $/Stück
DMP1012UCB9-7
TN2130K1-G
IRF640PBF
IRF640PBF
$0 $/Stück
BUK7Y153-100EX
SQJ446EP-T1_BE3
RW1A020ZPT2R

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