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IPD033N06NATMA1

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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

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IPD033N06NATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.83606 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.3V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SI7892BDP-T1-GE3
SQD07N25-350H_GE3
BUK768R1-40E,118
FQP630
IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL
$0 $/Stück
IRL40B209
R6046FNZ1C9
FDA50N50
FDA50N50
$0 $/Stück
NTD4909N-35G
NTD4909N-35G
$0 $/Stück

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