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IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

compliant

IPD80R2K0P7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.38793 -
5,000 $0.36853 -
12,500 $0.35468 -
25,000 $0.35266 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 175 pF @ 500 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 24W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SI7116DN-T1-GE3
G3R75MT12D
FDMS86581
FDMS86581
$0 $/Stück
NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/Stück
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/Stück

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