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IPP80N06S207AKSA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

compliant

IPP80N06S207AKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
Call $Call -
9500 items
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.6mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 180µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

TN0106N3-G
PMCM6501UPEZ
IRL80HS120
SI4401BDY-T1-GE3
DMN1054UCB4-7
FQP16N15
STU2NK100Z
STU2NK100Z
$0 $/Stück
SI2316DS-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3

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