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IRFH3702TR2PBF

IRFH3702TR2PBF

IRFH3702TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

compliant

IRFH3702TR2PBF Preise und Bestellung

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1000 $0 $0
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 4.5 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1510 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STB16NF25
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STB70N10F4
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$0 $/Stück
IRFZ34S
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$0 $/Stück
IXTY3N60P
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$0 $/Stück
IRF1010Z
IRFZ24N,127
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PMV25ENEA215
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BSS84_D87Z
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STL6NM60N
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