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IRFSL7540PBF

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MOSFET N-CH 60V 110A TO262

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IRFSL7540PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.09258 -
4200 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.1mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4555 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

STH6N95K5-2
SUD23N06-31-BE3
IRL640A
IRL640A
$0 $/Stück
RM3010S6
RM3010S6
$0 $/Stück
DMN2055U-7
STF8N65M5
STF8N65M5
$0 $/Stück
IXTA140N12T2
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$0 $/Stück
STD7N65M2
STD7N65M2
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