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IRL3202PBF

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MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB

IRL3202PBF Technisches Datenblatt

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IRL3202PBF Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 7V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 29A, 7V
vgs(th) (max) @ ID 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STB76NF75
STB76NF75
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IXFT12N100F
IXFT12N100F
$0 $/Stück
IRLR3715
ATP101-TL-HX
ATP101-TL-HX
$0 $/Stück
IPD90N04S3-04
FQI13N50CTU
FQI13N50CTU
$0 $/Stück
SFT1452-TL-H
SFT1452-TL-H
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