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ISC007N04NM6ATMA1

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ISC007N04NM6ATMA1

TRENCH <= 40V

nicht konform

ISC007N04NM6ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.80000 $3.8
500 $3.762 $1881
1000 $3.724 $3724
1500 $3.686 $5529
2000 $3.648 $7296
2500 $3.61 $9025
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48A (Ta), 381A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 1.05mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8400 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8 FL
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFH6200TRPBF
SIHF065N60E-GE3
PMN42XPE,115
SI1012X-T1-GE3
STL57N65M5
STL57N65M5
$0 $/Stück
SI2306BDS-T1-GE3
PMCM4401UNEZ
SIHP125N60EF-GE3

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