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IXFH24N50Q

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

IXFH24N50Q Technisches Datenblatt

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IXFH24N50Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRL3102
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STS17NH3LL
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$0 $/Stück
IXFH36N55Q2
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$0 $/Stück
STI18NM60N
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$0 $/Stück
STB190NF04T4
BSP135 E6906
FDD3N40TF
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AUIRF7805Q

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