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IXFH7N80

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD

IXFH7N80 Technisches Datenblatt

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IXFH7N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $7.44167 $223.2501
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

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