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IXFH80N65X2-4

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IXFH80N65X2-4

IXYS

MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L

compliant

IXFH80N65X2-4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.40000 $12.4
30 $10.16800 $305.04
120 $9.17600 $1101.12
510 $7.68800 $3920.88
1,020 $6.94400 -
55 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 38mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-4L
Paket / Koffer TO-247-4
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Zugehörige Teilenummer

SQM120N06-06_GE3
STU7LN80K5
STU7LN80K5
$0 $/Stück
STD10NM60N
STD10NM60N
$0 $/Stück
APT8056BVRG
IPI60R299CP
SQJ858AEP-T1_GE3
DMN2058UW-13
RSJ800N06TL

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