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SQM120N06-06_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

compliant

SQM120N06-06_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.66848 $1334.784
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6495 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STU7LN80K5
STU7LN80K5
$0 $/Stück
STD10NM60N
STD10NM60N
$0 $/Stück
APT8056BVRG
IPI60R299CP
SQJ858AEP-T1_GE3
DMN2058UW-13
RSJ800N06TL

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