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IXFN100N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B

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IXFN100N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $21.53400 $215.34
2 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 78A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 183 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 595W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SIHF22N65E-GE3
RQ5H025TNTL
DMN3026LVT-7
STI21N65M5
STI21N65M5
$0 $/Stück
HUF76429S3ST
HUF76429S3ST
$0 $/Stück
FCH190N65F-F155
FCH190N65F-F155
$0 $/Stück
FDD5N50NZFTM
FDD5N50NZFTM
$0 $/Stück
BUK7S1R0-40HJ

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