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IXFP22N60P3

IXFP22N60P3

IXFP22N60P3

IXYS

MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB

IXFP22N60P3 Technisches Datenblatt

compliant

IXFP22N60P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.81000 $3.81
50 $3.06000 $153
100 $2.78800 $278.8
500 $2.25760 $1128.8
1,000 $1.90400 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9220TRPBF
SQD50P06-15L_GE3
DMP6110SVT-7
TPH3207WS
TPH3207WS
$0 $/Stück
SQJA68EP-T1_BE3
SIHG33N65EF-GE3
FDT86246L
FDT86246L
$0 $/Stück
IXFH18N60P
IXFH18N60P
$0 $/Stück

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