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IXTA80N10T

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IXTA80N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

IXTA80N10T Technisches Datenblatt

compliant

IXTA80N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.88000 $2.88
50 $2.32500 $116.25
100 $2.09250 $209.25
500 $1.62750 $813.75
1,000 $1.34850 -
2,500 $1.30200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3040 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STB20NM60T4
PSMN0R9-30YLDX
TP0606N3-G
R6520KNZ4C13
SI7478DP-T1-E3
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/Stück
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/Stück
BUK9Y3R0-40E,115

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