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STB20NM60T4

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MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

STB20NM60T4 Technisches Datenblatt

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STB20NM60T4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.39570 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PSMN0R9-30YLDX
TP0606N3-G
R6520KNZ4C13
SI7478DP-T1-E3
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/Stück
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/Stück
BUK9Y3R0-40E,115
STFU8N60DM2

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