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IXTP01N100D

IXTP01N100D

IXTP01N100D

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO220AB

IXTP01N100D Technisches Datenblatt

compliant

IXTP01N100D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.48000 $4.48
50 $3.60000 $180
100 $3.28000 $328
500 $2.65600 $1328
1,000 $2.24000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 110Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 120 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APT10078BLLG
IXTN32P60P
IXTN32P60P
$0 $/Stück
FDD8874
MCQ4435A-TP
NTMFS5H610NLT1G
NTMFS5H610NLT1G
$0 $/Stück
STL130N6F7
STL130N6F7
$0 $/Stück
BSS119L6433
IRFU224PBF
IRFU224PBF
$0 $/Stück

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