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BSS123-TP

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

BSS123-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

BSS123-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
25859 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170mA Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SISS71DN-T1-GE3
NVD5C486NT4G
NVD5C486NT4G
$0 $/Stück
STL35N75LF3
IRFZ14SPBF
IRFZ14SPBF
$0 $/Stück
IRFL9110TRPBF-BE3
RQ6E080AJTCR

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