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MSCSM120DDUM16CTBL3NG

MSCSM120DDUM16CTBL3NG

MSCSM120DDUM16CTBL3NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3

compliant

MSCSM120DDUM16CTBL3NG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $648.09000 $648.09
500 $641.6091 $320804.55
1000 $635.1282 $635128.2
1500 $628.6473 $942970.95
2000 $622.1664 $1244332.8
2500 $615.6855 $1539213.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 4 N-Channel, Common Source
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 80A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 464nC @ 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6040pF @ 1000V
Leistung - max. 560W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket -
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Zugehörige Teilenummer

MCB40P1200LB-TUB
MCB40P1200LB-TUB
$0 $/Stück
APTC60AM24T1G
NTMFD016N06CT1G
NTMFD016N06CT1G
$0 $/Stück
SP8M21HZGTB
2SJ653-CB11
2SJ653-CB11
$0 $/Stück
APTC80H15T1G
FCP11N65

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