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VN1206L-G

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MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3

VN1206L-G Technisches Datenblatt

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VN1206L-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.56000 $1.56
25 $1.28760 $32.19
100 $1.17420 $117.42
134 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 120 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 230mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 125 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Zugehörige Teilenummer

PMPB47XP,115
IXFN60N80P
IXFN60N80P
$0 $/Stück
SQSA80ENW-T1_GE3
NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/Stück
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/Stück
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
$0 $/Stück
SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227
25P06
25P06
$0 $/Stück

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