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APTM100VDA35T3G

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MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

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APTM100VDA35T3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000V (1kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 186nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200pF @ 25V
Leistung - max. 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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Zugehörige Teilenummer

GWM100-01X1-SMD
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$0 $/Stück
VWM200-01P
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$0 $/Stück
IXTL2X200N085T
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$0 $/Stück
FDC6301N_G
FDC6301N_G
$0 $/Stück
APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
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$0 $/Stück

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