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2N7002LT7G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

SOT-23

2N7002LT7G Technisches Datenblatt

nicht konform

2N7002LT7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,500 $0.03489 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 115mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 225mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SI8800EDB-T2-E1
2N7002,215
2N7002,215
$0 $/Stück
IXFH30N60P
IXFH30N60P
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NTGS3443T1G
NTGS3443T1G
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NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC
$0 $/Stück
NTE2398
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