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FDB0165N807L

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7

nicht konform

FDB0165N807L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $3.75649 $3005.192
1,600 $3.51901 -
2,400 $3.35277 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 310A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.6mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 304 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23660 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-7
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

DMN62D0UWQ-7
EPC2045
EPC2045
$0 $/Stück
SI4408DY-T1-GE3
IXTH11P50
IXTH11P50
$0 $/Stück
SIHG080N60E-GE3
R6507KNXC7G
SIHB33N60EF-GE3
DI9435T
DI9435T
$0 $/Stück
FDB8444
FDB8444
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