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FDMS86310

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MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

FDMS86310 Technisches Datenblatt

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FDMS86310 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.05840 -
6,000 $1.02144 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6290 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

PMV20XNEAR
PMV20XNEAR
$0 $/Stück
SIE882DF-T1-GE3
SQJQ480E-T1_GE3
DMN63D1LW-7
IRFU7546PBF
NTMFS4108NT3G
NTMFS4108NT3G
$0 $/Stück
BUK7S1R5-40HJ
SIHP17N60D-GE3
STL19N60DM2

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