Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FQPF19N20C

FQPF19N20C

FQPF19N20C

onsemi

MOSFET N-CH 200V 19A TO220F

FQPF19N20C Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF19N20C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.85000 $1.85
10 $1.64400 $16.44
100 $1.30870 $130.87
500 $1.02440 $512.2
1,000 $0.81763 -
958 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RRS040P03FRATB
SQA444CEJW-T1_GE3
SIHP38N60EF-GE3
NTGS3433T1G
NTGS3433T1G
$0 $/Stück
CSD17581Q5AT
APT10M11JVRU2
IXTP80N075L2
IXTP80N075L2
$0 $/Stück
TN2524N8-G
IXFN26N100P
IXFN26N100P
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.